Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1.2kV | 5A | Idm: 28A | 335W | TO247-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1.2kV | 5A | Idm: 28A | 335W | TO247-3
EB Kods: EB1211934208
Ražotāja preces kods: APT7M120B
Ražotāja preces kods:
APT7M120B
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
16,95 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | POWER MOS 8® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 5A |
Pulsed drain current | 28A |
Power dissipation | 335W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 2.1Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 80nC |
Kind of channel | enhanced |