Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 57A | 200W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 57A | 200W | TO220AB
EB Kods: EB1186850743
Ražotāja preces kods: IRF3710PBF
Ražotāja preces kods:
IRF3710PBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,52 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 57A |
Power dissipation | 200W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 23mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 86.7nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |