Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | StrongIRFET™ | unipolar | 200V | 129A | 556W
Transistor: N-MOSFET | StrongIRFET™ | unipolar | 200V | 129A | 556W
EB Kods: EB1839301583
Ražotāja preces kods: IRF200P222
Ražotāja preces kods:
IRF200P222
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
13,49 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | StrongIRFET™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 129A |
Power dissipation | 556W |
Case | TO247AC |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6.6mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 203nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |