Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 700V | 54A | Idm: 192A | 283W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 700V | 54A | Idm: 192A | 283W
EB Kods: EB199232617
Ražotāja preces kods: MSC035SMA070B4
Ražotāja preces kods:
MSC035SMA070B4
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
29,41 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 700V |
Drain current | 54A |
Pulsed drain current | 192A |
Power dissipation | 283W |
Case | TO247-4 |
On-state resistance | 44mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 99nC |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |