Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 650V | 18A | Idm: 69A | 96W | TO247
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 650V | 18A | Idm: 69A | 96W | TO247
EB Kods: EB2089485620
Ražotāja preces kods: IMW65R072M1HXKSA1
Ražotāja preces kods:
IMW65R072M1HXKSA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
23,94 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | CoolSiC™ |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650V |
| Drain current | 18A |
| Pulsed drain current | 69A |
| Power dissipation | 96W |
| Case | TO247 |
| Gate-source voltage | -5...23V |
| On-state resistance | 94mΩ |
| Mounting | THT |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |