Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 8A | Idm: 28A | 78W

EB Kods: EB585162514

Ražotāja preces kods: 
MSC360SMA120B

Ražotājs, zīmols: 
MICROCHIP (MICROSEMI)

12,41 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current8A
Pulsed drain current28A
Power dissipation78W
CaseTO247-3
On-state resistance0.45Ω
MountingTHT
Gate charge21nC
Kind of channelenhanced