Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 8A | Idm: 28A | 78W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 8A | Idm: 28A | 78W
EB Kods: EB585162514
Ražotāja preces kods: MSC360SMA120B
Ražotāja preces kods:
MSC360SMA120B
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
12,57 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 8A |
Pulsed drain current | 28A |
Power dissipation | 78W |
Case | TO247-3 |
On-state resistance | 0.45Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 21nC |
Kind of channel | enhanced |