Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 223A | 130W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 223A | 130W
EB Kods: EB755819076
Ražotāja preces kods: S3M0040120D
Ražotāja preces kods:
S3M0040120D
Ražotājs, zīmols: SMC DIODE SOLUTIONS
Ražotājs, zīmols:
SMC DIODE SOLUTIONS
8,27 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 5 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 46A |
| Pulsed drain current | 223A |
| Power dissipation | 130W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -4...18V |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 143nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |