Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 105A | 323W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 105A | 323W
EB Kods: EB669773400
Ražotāja preces kods: MSC040SMA120B4
Ražotāja preces kods:
MSC040SMA120B4
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
27,33 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 46A |
Pulsed drain current | 105A |
Power dissipation | 323W |
Case | TO247-4 |
On-state resistance | 50mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 137nC |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |