Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 17A | 103W | TO247

EB Kods: EB1953625431

Ražotāja preces kods: 
SCT3160KLGC11

Ražotājs, zīmols: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 23,63 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current17A
Power dissipation103W
CaseTO247
On-state resistance0.16Ω
MountingTHT
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced