Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 16A | Idm: 45A | 175W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 16A | Idm: 45A | 175W
EB Kods: EB123026153
Ražotāja preces kods: SCTWA20N120
Ražotāja preces kods:
SCTWA20N120
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
23,26 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 1 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 16A |
Pulsed drain current | 45A |
Power dissipation | 175W |
Case | HIP247™ |
On-state resistance | 0.22Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 45nC |
Kind of package | tube |