Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 15A | Idm: 40A | 127W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 15A | Idm: 40A | 127W
EB Kods: EB1182352870
Ražotāja preces kods: MSC180SMA120B
Ražotāja preces kods:
MSC180SMA120B
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
17,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 15A |
Pulsed drain current | 40A |
Power dissipation | 127W |
Case | TO247-3 |
On-state resistance | 0.225Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 34nC |
Kind of channel | enhanced |