Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 140A | Idm: 314A | 714W

EB Kods: EB2055727159

Ražotāja preces kods: 
S2M0016120D

Ražotājs, zīmols: 
SMC DIODE SOLUTIONS

 22,48 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current140A
Pulsed drain current314A
Power dissipation714W
CaseTO247AD
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance16mΩ
MountingTHT
Gate charge224nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced