Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Polar™ | unipolar | 900V | 10.5A | Idm: 36A | 200W
Transistor: N-MOSFET | Polar™ | unipolar | 900V | 10.5A | Idm: 36A | 200W
EB Kods: EB1886195465
Ražotāja preces kods: IXFR18N90P
Ražotāja preces kods:
IXFR18N90P
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
21,89 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HiPerFET™ |
Technology | Polar™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 900V |
Drain current | 10.5A |
Pulsed drain current | 36A |
Power dissipation | 200W |
Case | ISOPLUS247™ |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.66Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 97nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 300ns |