Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | PolarHT™ | unipolar | 100V | 200A | 800W | TO264
Transistor: N-MOSFET | PolarHT™ | unipolar | 100V | 200A | 800W | TO264
EB Kods: EB1572017433
Ražotāja preces kods: IXTK200N10P
Ražotāja preces kods:
IXTK200N10P
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
21,09 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | PolarHT™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 200A |
Power dissipation | 800W |
Case | TO264 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 7.5mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 240nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 100ns |