Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | OptiMOS® -T2 | unipolar | 60V | 58A | Idm: 320A
Transistor: N-MOSFET | OptiMOS® -T2 | unipolar | 60V | 58A | Idm: 320A
EB Kods: EB1133597906
Ražotāja preces kods: IPI80N06S407AKSA2
Ražotāja preces kods:
IPI80N06S407AKSA2
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
3,09 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS® -T2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 58A |
Pulsed drain current | 320A |
Power dissipation | 79W |
Case | PG-TO262-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 7.4mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 27nC |
Kind of channel | enhanced |