Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | MDmesh™ K5 | unipolar | 800V | 9A | Idm: 56A | 170W
Transistor: N-MOSFET | MDmesh™ K5 | unipolar | 800V | 9A | Idm: 56A | 170W
EB Kods: EB1865280647
Ražotāja preces kods: STP17N80K5
Ražotāja preces kods:
STP17N80K5
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
6,96 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | MDmesh™ K5 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800V |
| Drain current | 9A |
| Pulsed drain current | 56A |
| Power dissipation | 170W |
| Case | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.34Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 26nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |