Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 280V | 17A | Idm: 68A | 79W
Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 280V | 17A | Idm: 68A | 79W
EB Kods: EB1222195698
Ražotāja preces kods: P17F28HP2-5600
Ražotāja preces kods:
P17F28HP2-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
1,74 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Hi-PotMOS2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 280V |
| Drain current | 17A |
| Pulsed drain current | 68A |
| Power dissipation | 79W |
| Case | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.23Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 19.5nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhanced |