Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 280V | 17A | Idm: 68A | 79W

EB Kods: EB1222195698

Ražotāja preces kods: 
P17F28HP2-5600

Ražotājs, zīmols: 
SHINDENGEN

 1,75 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage280V
Drain current17A
Pulsed drain current68A
Power dissipation79W
CaseFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.23Ω
MountingTHT
Gate charge19.5nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhanced