Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | FDmesh™ II | unipolar | 600V | 6.3A | 90W
Transistor: N-MOSFET | FDmesh™ II | unipolar | 600V | 6.3A | 90W
EB Kods: EB1278222216
Ražotāja preces kods: STP11NM60ND
Ražotāja preces kods:
STP11NM60ND
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
3,52 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | FDmesh™ II |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 6.3A |
Power dissipation | 90W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 0.45Ω |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |