Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | EETMOS3 | unipolar | 100V | 50A | Idm: 200A | 51W
Transistor: N-MOSFET | EETMOS3 | unipolar | 100V | 50A | Idm: 200A | 51W
EB Kods: EB1662083233
Ražotāja preces kods: P50F10SN-5600
Ražotāja preces kods:
P50F10SN-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
2,00 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | EETMOS3 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100V |
| Drain current | 50A |
| Pulsed drain current | 200A |
| Power dissipation | 51W |
| Case | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 8.7mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 114nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhanced |