Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | EETMOS3 | unipolar | 100V | 22A | Idm: 66A | 35W
Transistor: N-MOSFET | EETMOS3 | unipolar | 100V | 22A | Idm: 66A | 35W
EB Kods: EB1477460669
Ražotāja preces kods: P22F10SN-5600
Ražotāja preces kods:
P22F10SN-5600
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
1,32 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | EETMOS3 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100V |
| Drain current | 22A |
| Pulsed drain current | 66A |
| Power dissipation | 35W |
| Case | FTO-220AG (SC91) |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 28mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 34nC |
| Kind of package | bulk |
| Kind of channel | enhanced |