Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | DeepGATE™ | unipolar | 100V | 120A | 315W
Transistor: N-MOSFET | DeepGATE™ | unipolar | 100V | 120A | 315W
EB Kods: EB1503484186
Ražotāja preces kods: STP310N10F7
Ražotāja preces kods:
STP310N10F7
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
7,24 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | DeepGATE™ |
Technology | STripFET™ VII |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 120A |
Power dissipation | 315W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.7mΩ |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |