Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 60V | 0.3A | Idm: 1.2A | 0.35W | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 60V | 0.3A | Idm: 1.2A | 0.35W | ESD
EB Kods: EB2041207912
Ražotāja preces kods: MMBT7002KDW
Ražotāja preces kods:
MMBT7002KDW
Ražotājs, zīmols: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
0,0685 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.3A |
Pulsed drain current | 1.2A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.44nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |