Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 8V | 6A | Idm: 30A | 1.6W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 8V | 6A | Idm: 30A | 1.6W | SOT23
EB Kods: EB916785116
Ražotāja preces kods: SI2342DS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2342DS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,68 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 8V |
Drain current | 6A |
Pulsed drain current | 30A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±5V |
On-state resistance | 17mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 15.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |