Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 2.7A | 32W | PG-TO252-3 | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 2.7A | 32W | PG-TO252-3 | ESD
EB Kods: EB1737731255
Ražotāja preces kods: IPD80R1K4P7ATMA1
Ražotāja preces kods:
IPD80R1K4P7ATMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,24 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | CoolMOS™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 2.7A |
Power dissipation | 32W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1.4Ω |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |