Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 2.6A | 125W | D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 2.6A | 125W | D2PAK,TO263
EB Kods: EB1596341547
Ražotāja preces kods: IRFBE30SPBF
Ražotāja preces kods:
IRFBE30SPBF
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
2,64 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 2.6A |
Power dissipation | 125W |
Case | D2PAK |
Case | TO263 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 3Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 78nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |