Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 56A | Idm: 315A | 110W | D2PAK
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 56A | Idm: 315A | 110W | D2PAK
EB Kods: EB534405268
Ražotāja preces kods: IRF1018ESTRLPBF
Ražotāja preces kods:
IRF1018ESTRLPBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,10 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 56A |
Pulsed drain current | 315A |
Power dissipation | 110W |
Case | D2PAK |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 8.4mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |