Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 500mA | Idm: 1A | 890mW
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 500mA | Idm: 1A | 890mW
EB Kods: EB2143236045
Ražotāja preces kods: DMN62D0SFD-7
Ražotāja preces kods:
DMN62D0SFD-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,37 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.5A |
Pulsed drain current | 1A |
Power dissipation | 0.89W |
Case | X1-DFN1212-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 3Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 870pC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |