Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 2.6A | Idm: 6A | 1W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 2.6A | Idm: 6A | 1W | SOT23
EB Kods: EB33157157
Ražotāja preces kods: SI2308CDS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2308CDS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,39 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 2.6A |
Pulsed drain current | 6A |
Power dissipation | 1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 144mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |