Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 12A | Idm: 77A | 9W | DPAK
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 12A | Idm: 77A | 9W | DPAK
EB Kods: EB1001468009
Ražotāja preces kods: NVD5C688NLT4G
Ražotāja preces kods:
NVD5C688NLT4G
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
3,11 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 12A |
Pulsed drain current | 77A |
Power dissipation | 9W |
Case | DPAK |
Gate-source voltage | ±16V |
On-state resistance | 27.4mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |