Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 0.8A | 0.14W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 0.8A | 0.14W | SOT23
EB Kods: EB1621933313
Ražotāja preces kods: 2N7002K-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
2N7002K-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,23 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.19A |
Pulsed drain current | 0.8A |
Power dissipation | 0.14W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.6nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |