Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 4A | Idm: 40A | 1W | SOT223
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 55V | 4A | Idm: 40A | 1W | SOT223
EB Kods: EB2002504370
Ražotāja preces kods: IRLL024ZTRPBF
Ražotāja preces kods:
IRLL024ZTRPBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,15 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 55V |
Drain current | 4A |
Pulsed drain current | 40A |
Power dissipation | 1W |
Case | SOT223 |
Gate-source voltage | ±16V |
On-state resistance | 60mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11nC |
Kind of package | reel |
Kind of channel | enhanced |