Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 50V | 200mA | Idm: 0.8A | 150mW | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 50V | 200mA | Idm: 0.8A | 150mW | ESD
EB Kods: EB1349081035
Ražotāja preces kods: RU1J002YNTCL
Ražotāja preces kods:
RU1J002YNTCL
Ražotājs, zīmols: ROHM SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,35 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 50V |
Drain current | 0.2A |
Pulsed drain current | 0.8A |
Power dissipation | 0.15W |
Case | SOT323F |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 3.8Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |