Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 30mA | Idm: 0.03A | 1.6W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 30mA | Idm: 0.03A | 1.6W
EB Kods: EB489242076
Ražotāja preces kods: LND150N8-G
Ražotāja preces kods:
LND150N8-G
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
1,28 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 500V |
Drain current | 30mA |
Pulsed drain current | 0.03A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT89-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1kΩ |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | depleted |