Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 350V | 0.18A | 360mW | SOT23-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 350V | 0.18A | 360mW | SOT23-3
EB Kods: EB1611208468
Ražotāja preces kods: DN3135K1-G
Ražotāja preces kods:
DN3135K1-G
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
1,46 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 350V |
Pulsed drain current | 0.18A |
Power dissipation | 360mW |
Case | SOT23-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 35Ω |
Mounting | SMD |
Kind of channel | depleted |