Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 7A | 2.5W | SO8
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 7A | 2.5W | SO8
EB Kods: EB332998168
Ražotāja preces kods: SI4800BDY-T1-E3
Ražotāja preces kods:
SI4800BDY-T1-E3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,57 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 7A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 30mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 13nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |