Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 3.3A | 1.1W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 3.3A | 1.1W | SOT23
EB Kods: EB1270164
Ražotāja preces kods: SI2304DDS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2304DDS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 3.3A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 75mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |