Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 30A | Idm: 72A | 30W | HSMT8
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 30A | Idm: 72A | 30W | HSMT8
EB Kods: EB1790976020
Ražotāja preces kods: RQ3E180AJTB
Ražotāja preces kods:
RQ3E180AJTB
Ražotājs, zīmols: ROHM SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ROHM SEMICONDUCTOR
1,42 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30V |
| Drain current | 30A |
| Pulsed drain current | 72A |
| Power dissipation | 30W |
| Case | HSMT8 |
| Gate-source voltage | ±12V |
| On-state resistance | 5.8mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 39nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |