Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 27A | Idm: 48A | 15W | HSMT8

EB Kods: EB173120446

Ražotāja preces kods: 
RQ3E120GNTB

Ražotājs, zīmols: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 0,78 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current27A
Pulsed drain current48A
Power dissipation15W
CaseHSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13.8mΩ
MountingSMD
Gate charge10nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced