Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 1.4A | Idm: 6A | 0.3W | SC70 | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 1.4A | Idm: 6A | 0.3W | SC70 | ESD
EB Kods: EB1422387094
Ražotāja preces kods: SI1308EDL-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI1308EDL-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,58 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 1.4A |
Pulsed drain current | 6A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SC70 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 132mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |