Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 12A | Idm: 30A | 10W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 12A | Idm: 30A | 10W
EB Kods: EB148955435
Ražotāja preces kods: SIS412DN-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SIS412DN-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,80 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 12A |
Pulsed drain current | 30A |
Power dissipation | 10W |
Case | PowerPAK® 1212-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 24mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 12nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |