Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 240V | 220mA | Idm: 0.8A | 1.2W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 240V | 220mA | Idm: 0.8A | 1.2W | SOT23
EB Kods: EB432003454
Ražotāja preces kods: DMN24H11DS-7
Ražotāja preces kods:
DMN24H11DS-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,63 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 240V |
Drain current | 0.22A |
Pulsed drain current | 0.8A |
Power dissipation | 1.2W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 12Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 3.7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |