Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 6.8A | Idm: 27.2A | 1.6W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 6.8A | Idm: 27.2A | 1.6W | SOT23
EB Kods: EB427817605
Ražotāja preces kods: BXT210N02M
Ražotāja preces kods:
BXT210N02M
Ražotājs, zīmols: BRIDGELUX
Ražotājs, zīmols:
BRIDGELUX
0,45 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 6.8A |
Pulsed drain current | 27.2A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 21mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 12.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of channel | enhancement |