Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 5.1A | 1.3W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 5.1A | 1.3W | SOT23
EB Kods: EB1441625416
Ražotāja preces kods: SI2312CDS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2312CDS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,58 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 5.1A |
Power dissipation | 1.3W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 41.4mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 8.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |