Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 4.9A | 800mW | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 4.9A | 800mW | SOT23
EB Kods: EB1282424712
Ražotāja preces kods: TSM2314CX RFG
Ražotāja preces kods:
TSM2314CX RFG
Ražotājs, zīmols: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
TAIWAN SEMICONDUCTOR
1,00 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 4.9A |
Power dissipation | 0.8W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 33mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 14nC |
Kind of channel | enhanced |