Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 4.5A | Idm: 30A | 0.61W | SC59 | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 4.5A | Idm: 30A | 0.61W | SC59 | ESD
EB Kods: EB651500370
Ražotāja preces kods: DMN2020LSN-7
Ražotāja preces kods:
DMN2020LSN-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,58 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 4.5A |
Pulsed drain current | 30A |
Power dissipation | 0.61W |
Case | SC59 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 20mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |