Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 2A | Idm: 8A | 1.25W | SOT23
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 2A | Idm: 8A | 1.25W | SOT23
EB Kods: EB1909421966
Ražotāja preces kods: PJA3430_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJA3430_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,40 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 2A |
Pulsed drain current | 8A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.4Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |