Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 20V | 1A | Idm: 4A | 350mW | SOT323

EB Kods: EB201600422

Ražotāja preces kods: 
PJC7404_R1_00001

Ražotājs, zīmols: 
PanJit Semiconductor

0,47 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20V
Drain current1A
Pulsed drain current4A
Power dissipation0.35W
CaseSOT323
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.4Ω
MountingSMD
Gate charge1.6nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced