Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 1.1A | 1.6W | SuperSOT-6
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 1.1A | 1.6W | SuperSOT-6
EB Kods: EB1091375371
Ražotāja preces kods: FDC2612
Ražotāja preces kods:
FDC2612
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
0,73 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 1.1A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SuperSOT-6 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1.43Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |