Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1kV | 1.6A | 100W | TO252 | 11ns
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1kV | 1.6A | 100W | TO252 | 11ns
EB Kods: EB991928258
Ražotāja preces kods: IXTY1R6N100D2
Ražotāja preces kods:
IXTY1R6N100D2
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
4,71 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1kV |
Drain current | 1.6A |
Power dissipation | 100W |
Case | TO252 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 10Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 645nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | depletion |
Reverse recovery time | 11ns |