Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1.2kV | 1A | 63W | TO252 | 900ns
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1.2kV | 1A | 63W | TO252 | 900ns
EB Kods: EB1714202685
Ražotāja preces kods: IXTY1N120P
Ražotāja preces kods:
IXTY1N120P
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
4,10 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 1A |
Power dissipation | 63W |
Case | TO252 |
On-state resistance | 20Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
Reverse recovery time | 900ns |